一种快速诱导聚偏氟乙烯薄膜发生α到γ相变的方法，以N，N‑二甲基甲酰胺为溶剂，配制质量浓度为3％‑10％的PVDF溶液，然后将制备的溶液均匀刮涂至干燥洁净的玻璃片或硅片基底上，并在60‑100℃干燥6‑24h以使溶剂完全去除，制得PVDF薄膜，经190‑210℃消除热历史后，在30℃至160℃的温度下成核为α相晶核，经离子液体浸泡后，在140‑170℃快速相变为γ′相晶体，得到了高γ′含量的PVDF薄膜，γ′相含量高达92％；由于采用先结晶后快速退火的方法，使得γ‑PVDF的生成速度大大提高，从而可以快速的制备耐高温的聚偏氟乙烯介电膜；制备工艺简单、操作方便、且可连续化生产，性能优异、耐高温、耐化学腐蚀、具有较强的铁电和压电性能，可应用于传感器、电容器和耐高温储能元件与热敏性材料。