GaAs工艺驱动电路的改善方法、电路、开关、芯片
公开
摘要
本发明公开了一种GaAs工艺驱动电路的改善方法、电路、开关、芯片，属于微波集成电路领域，包括：步骤一，针对GaAs ED工艺的驱动电路，在其“0V”电压信号输出端连接第一电阻R1，在其“‑5V”电压信号输出端连接第一电阻R2；通过连接所述第一电阻R1和第二电阻R2输出GaAsED工艺的驱动电路的互补信号。步骤二，将所述互补信号作用于微波开关管的栅极，0V使开关管导通，‑5V使开关管关断，实现“开关”功能。本发明可以提高驱动器输出0V电压精度，使得微波开关获得更佳的微波性能。
基本信息
专利标题 ：
GaAs工艺驱动电路的改善方法、电路、开关、芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114567151A
申请号 ：
CN202210180297.9
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨光蒋冬冬王安劳卢子焱刘云刚张继帆韩思扬王胜源赵伟宋艺林范艺萱
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请人地址 ：
四川省成都市金牛区营康西路496号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙元伟
优先权 ：
CN202210180297.9
主分类号 ：
H02M1/084
IPC分类号 ：
H02M1/084 H02M1/32 H02M1/36
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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