一种CMOS射频接收机的前端电路
实质审查的生效
摘要
本发明属于射频集成电路领域，具体涉及一种CMOS射频接收机的前端电路，包括：第一无源混频器、第二无源混频器、第一跨阻放大器、第二跨阻放大器。输入的射频信号由端口VRF+和VRF‑双端输入，第一路信号经过第一无源混频器的输入端与输入本振信号LO0/2相乘，得到一个中频的基带差分电流信号，基带差分电流信号经过第一跨阻放大器得到I路的基带电压输出信号VBDI。类似地，第二无源混频器、第二跨阻放大器在差分本振信号LO1/3驱动下，得到Q路的基带电压信号VBDQ。该CMOS集成接收机前端实现了200MHz的基带带宽，且具有60dB/dec的高带外衰减度。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS射频接收机的前端电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114389629A
申请号 ：
CN202210184167.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭本青樊润伍廖星月李珂王海时
申请人 ：
成都信息工程大学
申请人地址 ：
四川省成都市西南航空港经济开发区学府路1段24号
代理机构 ：
成都智言知识产权代理有限公司
代理人 ：
濮云杉
优先权 ：
CN202210184167.2
主分类号 ：
H04B1/10
IPC分类号 ：
H04B1/10 H04B1/16
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04B 1/10
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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