一种基于集成电路进行多层并联的电容
公开
摘要
本发明公开了一种基于集成电路进行多层并联的电容，包括若干并联的电容和基板，所述电容设置于基板上方构成第一并联电容，所述电容设置于基板中构成第二并联电容；所述电容包括端电极、内电极、介质、金属通孔，所述端电极包括第一端电极和第二端电极，所述内电极包括若干层；所述第一金属通孔设置于第一端电极顶部，所述第二金属通孔设置于第二端电极顶部；本发明采用将基板做成PN结电容、MOS电容，接着做多层的大电容，集成在一起，同时改善高频低频特性；集成电路工艺机械应力很小，半导体平面工艺，均匀性好，性能稳定，多层并联，适合制作大电容，大的电容一般高频性能不好，而小容量电容则刚好相反，具有很好的高频性能。
基本信息
专利标题 ：
一种基于集成电路进行多层并联的电容
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613863A
申请号 ：
CN202210185563.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾繁中张汝京邹才明
申请人 ：
宁波芯恩半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区柴桥街道万景山路213号G幢四层1-1
代理机构 ：
北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵浩淼
优先权 ：
CN202210185563.7
主分类号 ：
H01L29/92
IPC分类号 ：
H01L29/92 H01L29/93 H01L29/94
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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