低功耗电平转换电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低功耗电平转换电路，其包括第一PMOS管等，第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极相互连接，第一PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极都与第六PMOS管的源极连接，第三PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极都与第一输出信号端连接，第四PMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极都与第二输出信号端连接，第五PMOS管的源极、第四PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极都与第二PMOS管的漏极连接，第五PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极都与第一PMOS管的栅极连接。本发明电平转换电路的电流较小，不会产生较大的短路电流损耗。
基本信息
专利标题 ：
低功耗电平转换电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114553213A
申请号 ：
CN202210185957.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张海能肖军
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202210185957.2
主分类号 ：
H03K19/0185
IPC分类号 ：
H03K19/0185
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 19/0185
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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