一种晶圆研磨前半环切边加工工艺
公开
摘要
本发明公开了一种晶圆研磨前半环切边加工工艺，包含以下步骤：晶圆半环切→晶圆半切割→晶圆正面贴膜→晶圆背面研磨→晶圆背面贴膜→晶圆正面撕膜；其中，所述晶圆半环切是在晶圆的正面边缘切割形成直角台阶；本方案增加了晶圆半环切half edge trimming制程，消除wafer边缘与中央的段差，从而改善研磨成薄片时产生的边缘碎屑飞失造成之焦黑问题；Half edge trimming+DBG的薄片研磨切割方案，极大缩小全环切所带来的经济成本，并且可以有效利用现有工厂资源，如研磨‑贴膜机台，无需大幅度改造机台。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆研磨前半环切边加工工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597125A
申请号 ：
CN202210186796.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱德应
申请人 ：
太极半导体（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区综合保税区启明路158号建屋1号厂房
代理机构 ：
苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于浩江
优先权 ：
CN202210186796.9
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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