一种双端口SRAM控制电路及其控制方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种双端口SRAM控制电路及其控制方法,该电路包括:时钟侦测模块,在第一端口时钟到来后触发工作,侦测第二端口时钟到来的上升沿,产生时钟重叠标志信号输出给地址比较模块;信号锁存模块,分别在每个端口时钟上升沿锁存地址信号及读写使能信号,并将锁存的锁存地址信号和锁存的锁存读写使能信号输出给地址比较模块;地址比较模块,用于将锁存的锁存读写标志信号经过逻辑判断输出四选一的标志信号,以控制读写控制模块、写读控制模块、写写控制模块、读读控制模块之一工作;读写控制模块、写读控制模块、写写控制模块以及读读控制模块,根据所述地址比较模块输出的标志信号工作。

基本信息
专利标题 :
一种双端口SRAM控制电路及其控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114550770A
申请号 :
CN202210190775.4
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘雯胡晓明
申请人 :
上海华力微电子有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 :
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 :
冯启正
优先权 :
CN202210190775.4
主分类号 :
G11C11/419
IPC分类号 :
G11C11/419  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的,即,不需要刷新或电荷再生的单元。例如,双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路,例如,用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/419
读写电路
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/419
申请日 : 20220228
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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