一种可控厚度的卯榫结构纳米孔的制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种可控厚度的卯榫结构纳米孔的制备方法，其制备的可控厚度的卯榫结构纳米孔为基于近零厚度纳米孔的卯榫结构纳米孔，其包括上下两个垂直的纳米通道和中间一个纳米孔，所述可控厚度的卯榫结构纳米孔通过二氟化氙XeF2刻蚀上下两层硅纳米线形成两个垂直的纳米通道。本发明可控厚度的卯榫结构纳米孔通过调节中间纳米孔的厚度可以调节该纳米孔的空间分辨率；通过增加上下两层纳米通道的厚度，提高了纳米孔的信噪比和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种可控厚度的卯榫结构纳米孔的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114572931A
申请号 ：
CN202210193792.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张小玲王德强刘业香何石轩谢婉谊方绍熙殷博华
申请人 ：
中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请人地址 ：
重庆市北碚区方正大道266号
代理机构 ：
北京汉迪信和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵景焕
优先权 ：
CN202210193792.3
主分类号 ：
B82B3/00
IPC分类号 ：
B82B3/00 C12Q1/6869 B82Y40/00 B82Y15/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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