一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法
公开
摘要
本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
基本信息
专利标题 ：
一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622272A
申请号 ：
CN202210196199.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘得伟李宝学杨涛尹正雄赵伟周安祥陆贵兵普世坤
申请人 ：
昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市高新技术开发区新城高新技术产业基地B-5-5地块
代理机构 ：
昆明祥和知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘敏
优先权 ：
CN202210196199.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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