一种用于SiCMOSFET的高集成化半桥驱动模块
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种用于SiC MOSFET的高集成化半桥驱动模块，能够减小驱动电路体积，保证驱动电路的高隔离性与高可靠性，结构简单，可应用性强。包括驱动板，所述驱动板分为控制电路侧和主电路侧，控制电路侧和主电路侧之间开设有分隔槽；其中，所述控制电路侧远离主电路侧的一端设有低压信号输入接口，所述分隔槽处置有驱动供电模块和驱动芯片，所述驱动供电模块包括上管驱动供电模块和下管驱动供电模块，所述主电路侧上设置有驱动电阻和驱动二极管，主电路侧远离控制电路侧的一端设有上管GS连接端和下管GS连接端。
基本信息
专利标题 ：
一种用于SiCMOSFET的高集成化半桥驱动模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552956A
申请号 ：
CN202210199613.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王来利温浚铎靳浩源董晓博李华清
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
房鑫
优先权 ：
CN202210199613.7
主分类号 ：
H02M1/088
IPC分类号 ：
H02M1/088
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/088
申请日 : 20220301
申请日 : 20220301
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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