一种具有快速开启功能的GaN驱动器
公开
摘要
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种具有快速开启功能的GaN驱动器。是基于横向绝缘栅多模式晶体管工作在强导通状态时，其钳位能力将阳极至阴极之间的电压钳位在低于GaN器件的栅极阈值电压和大电流这一特点，配合一个用于提供上拉电流的PMOS管、一个下拉NMOS管，实现GaN功率器件的快速开启和关闭。当扰动耦合到低侧时，基于横向绝缘栅多模式晶体管的大电流能力和阳极至阴极钳位能力，保证驱动电路不受到功率级的串扰；在面对电压尖峰问题时，基于横向绝缘栅多模式晶体管的钳位能力，通过在开启信号到来之前增加一个预充电阶段来控制电压尖峰，相较于传统开启信号到来之后才开始驱动的方案，具有更小的尖峰。
基本信息
专利标题 ：
一种具有快速开启功能的GaN驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114614802A
申请号 ：
CN202210202824.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李俊宏罗建鑫
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
闫树平
优先权 ：
CN202210202824.1
主分类号 ：
H03K17/041
IPC分类号 ：
H03K17/041 H03K17/081 H03K17/56
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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