一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路
实质审查的生效
摘要
本发明属于电源管理技术领域，涉及集成电路设计技术，具体涉及一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路。本发明提出的全GaN栅驱动电路在传统全GaN自举反向器中加入交叉耦合电荷泵，实现了自举电容轨到轨的充电电压，在提升自举反向器输出上升速度的同时实现了输出上升速度和下降速度之间更高的匹配性。在驱动GaN功率管的传统两级结构自举反相器中加入电源提升模块将偏置级的输出电压提升为三倍电源电压，提高了GaN功率管的栅极上升速度，降低了栅极上升斜率和下降斜率的不匹配性，实现了高速高转换速率驱动。采用四级自举反向器级联的方式实现了GaN功率管开启延时和关断延时之间良好的匹配性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有高转换速率的全GaN栅驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552976A
申请号 ：
CN202210203639.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
明鑫秦尧叶自凯张永瑜庄春旺王卓张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202210203639.4
主分类号 ：
H02M3/07
IPC分类号 ：
H02M3/07 H02M3/158 H02M1/088 H03K19/017
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 3/07
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
