一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜
公开
摘要
本申请涉及溅射镀膜领域，公开了一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜，所述金属氧化物薄膜的制备方法采用反应磁控溅射制备金属氧化物薄膜，其中，包括以下步骤：采用微波远程等离子体源对氧气进行活化处理，微波功率为1000‑2000W；向磁控溅射腔体内导入经过活化处理的氧气，以金属为靶材，在基底上沉积所述金属氧化物薄膜。本申请提供的金属氧化物薄膜的制备方法，基于反应磁控溅射工艺，并利用微波远程等离子体源对氧气预先进行活化处理，可以提高金属氧化物薄膜的结晶度和性能。
基本信息
专利标题 ：
一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561617A
申请号 ：
CN202210204583.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨振怀郭远军卫红胡琅胡强肖永能刘宏郭可升
申请人 ：
季华实验室
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 ：
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗尹清
优先权 ：
CN202210204583.4
主分类号 ：
C23C14/08
IPC分类号 ：
C23C14/08 C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/08
氧化物
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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