基于罗氏线圈的SiC-MOSFET高频开关电流检测电路
公开
摘要
本发明公开了一种基于罗氏线圈的SiC‑MOSFET高频开关电流检测电路，包括罗氏线圈微分器等效电路，所述罗氏线圈微分器等效电路与同相积分电路连接；同相积分电路的输出端接滤波保持电路；所述滤波保持电路包括第一模拟开关，所述第一模拟开关通过第一低通滤波电路接第二模拟开关，所述第二模拟开关通过跟随器接减法电路；所述减法电路与双路比较器连接。本发明实现了SiC MOSFET开关电流的高精度、低延时检测。
基本信息
专利标题 ：
基于罗氏线圈的SiC-MOSFET高频开关电流检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114563617A
申请号 ：
CN202210211748.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭鹏冯源徐千鸣罗安陈燕东唐成青卓莫楠
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路28号
代理机构 ：
长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人 ：
王娟
优先权 ：
CN202210211748.0
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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