一种半幅降压的电容采样逐次逼近模数转换电路及比较方法
公开
摘要
一种半幅降压的电容采样逐次逼近模数转换电路及比较方法，涉及半导体技术芯片设计领域，该电路包括比较器以及在比较器输入端的电容阵列、配置电压和逻辑开关，所述电路为双端输入结构；电容阵列为两组，每组均包括上半部分电容阵列和下半部分电容阵列，且上下电容阵列一致，从第三至末个电容，电容值均为当前电容前面所有电容值之和；配置电压为Vin，Vip，Vref，gnd，逻辑开关安装在电容与配置电压之间，用于实现比较过程中配置电压的切换。本发明使得比较器的输入端电压即来自电容阵列的电压，在工作时减半，从而减小了输入端电压过大，有助于比较器选择低压工艺的晶体管，以及选用更低的供电电压，这样有助于节省电路的功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种半幅降压的电容采样逐次逼近模数转换电路及比较方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114567329A
申请号 ：
CN202210211920.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡伟何捷
申请人 ：
共模半导体技术（苏州）有限公司
申请人地址 ：
上海市杨浦区国霞路299号Inno创智A栋522-523室
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
高爽
优先权 ：
CN202210211920.2
主分类号 ：
H03M1/46
IPC分类号 ：
H03M1/46 H03M1/00
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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