偏置电流生成电路
公开
摘要
本申请涉及电子技术领域，公开了一种偏置电流生成电路，具有快速启动、低温漂的特点。该电路包括：第四晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第一晶体管、第二晶体管、电容、第一电阻和第二电阻；第四晶体管的源极、第一电阻的第一端、第三晶体管的栅极和第五晶体管的栅极相耦合；第一电阻的第二端、电容的第一端、第三晶体管的源极和第五晶体管的源极耦合到电压源；第四晶体管的栅极、第三晶体管的漏极、第二晶体管的漏极和电容的第二端相耦合；第四晶体管的漏极、第一晶体管的漏极、第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极相互耦合；第二晶体管的源极耦合到第二电阻的第一端；第一晶体管的源极和第二电阻的第二端耦合到地端。
基本信息
专利标题 ：
偏置电流生成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114610108A
申请号 ：
CN202210217383.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张维承
申请人 ：
上海类比半导体技术有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号A楼367室
代理机构 ：
上海一平知识产权代理有限公司
代理人 ：
成春荣
优先权 ：
CN202210217383.2
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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