基于超表面的椭圆艾里涡旋光束产生器及其光束产生方法
公开
摘要
本发明公开了基于超表面的椭圆艾里涡旋光束产生器及其光束产生方法，其中产生器二氧化硅衬底，衬底上设置有多个纳米柱，纳米柱呈矩阵式分布，所述的纳米柱的长度为Wx，所述的纳米柱的宽度为Wy，纳米柱的旋转角度为α；光束产生方法包括将光束产生器在圆偏振光的垂直入射下，生成椭圆艾里涡旋光束，通过控制纳米柱的几何尺寸和旋转角度来改变透射光场的极化转换率和透射率。本发明在二氧化硅衬底上排布多个单晶硅制成的纳米柱，构建出超表面器件，相对于传统的空间光调制器而言，该装置在可以产生符合预期的复杂光束的前提下，结构简单，更加轻量化和小型化，给实际应用中产生复杂光束带来方便。
基本信息
专利标题 ：
基于超表面的椭圆艾里涡旋光束产生器及其光束产生方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114594539A
申请号 ：
CN202210221912.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐弼军薛晓菊吴白瑞职佳浩陈丹丹陈远路
申请人 ：
浙江科技学院
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区留和路318号
代理机构 ：
杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
丁海华
优先权 ：
CN202210221912.6
主分类号 ：
G02B5/00
IPC分类号 ：
G02B5/00 G02B5/30 G02B27/09 G02B27/00 G02B27/28 G02B1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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