一种氟化镁薄膜的制备方法及相关设备
公开
摘要
本申请公开一种氟化镁薄膜的制备方法及相关设备，涉及薄膜技术领域，能够提高在制备大面积氟化镁薄膜过程中的膜厚均匀性。氟化镁薄膜的制备方法，包括：将衬底传送至原子层沉积反应腔室；在所述原子层沉积反应腔室达到制备条件的情况下，向所述原子层沉积反应腔室通入镁源后对所述原子层沉积反应腔室进行气体吹扫；向所述原子层反应腔室通入氟源后对所述原子层沉积反应腔室进行气体吹扫。
基本信息
专利标题 ：
一种氟化镁薄膜的制备方法及相关设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114592180A
申请号 ：
CN202210224187.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
明帅强岳春安冯嘉恒王浙加李明高圣夏洋
申请人 ：
嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号（嘉兴科技城）
代理机构 ：
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 ：
王春艳
优先权 ：
CN202210224187.8
主分类号 ：
C23C16/30
IPC分类号 ：
C23C16/30 C23C16/455 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
