去耦电容器和布置
公开
摘要
本文公开了晶体管组件、集成电路器件和相关方法的各种实施例。在一些实施例中，晶体管组件可以包括：基底层，晶体管设置在所述基底层中；第一金属层；以及设置在基底层与第一金属层之间的第二金属层。晶体管组件还可以包括电容器，所述电容器包括其中具有沟道的导电材料的薄片，所述电容器设置在所述基底层或所述第二金属层中并耦合到所述晶体管的所述供电线。可以公开和/或主张其它实施例。
基本信息
专利标题 ：
去耦电容器和布置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613755A
申请号 ：
CN202210229794.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2014-06-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·E·布-加扎利R·T·埃尔赛义德N·戈埃尔
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN202210229794.3
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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