一种功率管栅端驱动电路
公开
摘要
本发明公开了一种功率管栅端驱动电路，所述电路包括：驱动电路，驱动电路包括PMOS管（P1，P2，P3，P4，P5，P6，P7，P8，P9）、NMOS管（N1，N2，N3，N4，N5，N6，N7，N8）、电阻（R1，R2，R3）、齐纳二极管（D1，D2）及电流源Ibias；逻辑控制电路，逻辑控制电路包括反相器（INV1，INV2，INV3，INV4，INV5，INV6），本技术方案通过巧妙的设计降低了驱动电路对工艺要求的限制，可控的驱动电流与驱动电压对开关电源模块的应用是有益的。
基本信息
专利标题 ：
一种功率管栅端驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114598138A
申请号 ：
CN202210236073.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗寅涂才根谭在超张胜丁国华
申请人 ：
苏州锴威特半导体股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市沙洲湖科技创新园A-1幢9层
代理机构 ：
南京众联专利代理有限公司
代理人 ：
毕东峰
优先权 ：
CN202210236073.5
主分类号 ：
H02M1/08
IPC分类号 ：
H02M1/08
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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