一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管，所述方法包括提供衬底；在所述衬底上生长缓冲层；通过Ga量的变化在所述缓冲层上进行渐变生长第一GaN层，后恒定生长第二GaN层；在所述第二GaN层依次生长不掺杂的GaN层、N型掺杂的GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层以及P型掺杂的GaN层。本发明解决了现有技术中的外延片制作的芯片发光亮度较低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335267A
申请号 ：
CN202210244015.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡加辉刘春杨吕蒙普金从龙
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210244015.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/02
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220314
申请日 : 20220314
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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