一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源
实质审查的生效
摘要

本申请技术方案提供一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源,包括:功率回路,被配置为输入直流电压并将所述直流电压变换为一路直流正压和一路直流负压输送至所述驱动电路,所述功率回路还连接输入侧地和输出侧地;控制回路,与所述功率回路连接,被配置为采集所述直流正压和所述直流负压以及所述功率回路的电流并进行处理,且基于处理结果调整输出的脉冲宽度,以使所述直流正压和所述直流负压稳定输出;供电回路,与所述控制回路和所述功率回路连接,被配置为向所述控制回路供电;共模干扰耦合与疏导回路。本申请技术方案能够满足SiC MOSFET驱动电路对正负电平不对称供电的需求,使驱动电路直接输出双极性的正负电平不对称驱动信号。

基本信息
专利标题 :
一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114531013A
申请号 :
CN202210248766.6
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2022-03-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵凤俭
申请人 :
飞锃半导体(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 :
北京市一法律师事务所
代理人 :
樊文娜
优先权 :
CN202210248766.6
主分类号 :
H02M1/08
IPC分类号 :
H02M1/08  H02M1/14  H02M1/36  H03K17/687  
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/08
申请日 : 20220314
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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