具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构
授权
摘要
本发明提供一种具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构，包括：在功率管FETA和功率管FETB之间插入的三个隔离环；其中，靠近功率管FETA和功率管FETB一侧的两个隔离环分别连接交流功率开关工作域内的最低电位；中间的一个隔离环与两侧的两个隔离环浮接在一起且不接任何电位。本发明通过在交流功率开关的两个背靠背的功率管之间插入三个隔离环，能够解决不完全隔离的器件实现具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关时，寄生的NPN晶体管极易触发从而容易产生寄生通路或闩锁效应并造成芯片损坏的问题。
基本信息
专利标题 ：
具有耐极负电压高压引脚的交流功率开关的隔离防护结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334956A
申请号 ：
CN202210249188.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
CN114334956B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
朱冬勇卿健唐超罗周益黄戈
申请人 ：
成都市易冲半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市天府新区中国（四川）自由贸易试验区兴隆街道湖畔路303号天府菁蓉中心A区10号楼第4层西侧
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
张杰
优先权 ：
CN202210249188.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220315
申请日 : 20220315
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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