一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构
公开
摘要
本发明公开了一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构，包括上盖板和下腔体两部分；上盖板内含矩形波导一；下腔体内含矩形波导口、槽间隙波导、矩形波导二、两级波导台阶以及U形槽结构；所述矩形波导口与槽间隙波导、矩形波导二及矩形波导一依次连接；所述波导台阶位于矩形波导二终端的下底面；U形槽结构分布在矩形波导二及波导台阶的外围，开口朝向矩形波导口的方向。本发明利用周期阵列排布的电磁带隙结构抑制特定频率范围的电磁波，避免了矩形波导由H面波导剖分制作导致的能量泄露问题。同时设计U形槽结构抑制波导弯折处的表面波传播，降低传输损耗。具有结构简单、制作方便、低传输损耗和宽频带工作的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583426A
申请号 ：
CN202210252281.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张勇张博代春玥张铁笛
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都虹盛汇泉专利代理有限公司
代理人 ：
王伟
优先权 ：
CN202210252281.4
主分类号 ：
H01P3/00
IPC分类号 ：
H01P3/00 H01P3/123 H01P3/14
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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