本公开涉及NAND闪存的数据写入方法和装置以及存储介质，该方法包括：配对步骤，用于针对所述NAND闪存的每条通道，对该通道内的所有逻辑单元即LUN进行配对，以使得每个LUN对包括至少两个LUN；以及写入步骤，用于针对每个LUN对，依次对该LUN对中的每个LUN的每个字线所包括的编程模式所对应的多个页面中的一个相同页面进行数据写入，在完成对该LUN对中的所有LUN的该个字线的该相同页面的数据写入之后，依次对该LUN对中的每个LUN的该个字线的该多个页面中的下一相同页面进行数据写入，…，依此类推，直至依次对该LUN对中的每个LUN的该个字线的该多个页面中的最后一个相同页面进行数据写入为止。由此，可以提高NAND总线的传输效率，从而提高NAND闪存的数据写入性能。