一种发光二极管的制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种发光二极管的制作方法，涉及半导体技术领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底的表面制作形成多个圆柱体凹坑；将圆柱体凹坑内部填充用于散热和反射光的石墨烯粉末；在圆柱体凹坑的正上方制作形成凸起的掺有金刚石颗粒的氧化硅圆锥体；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高LED芯片的散热能力，有效提高LED器件的发光效率，还可以减少LED外延片翘曲度，提升LED发光波长和亮度分布均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613888A
申请号 ：
CN202210266949.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐平周孝维冯磊
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202210266949.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/20 H01L33/06 H01L33/14 H01L33/32
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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