一种用于半导体晶圆抛光处理的稀土抛光粉及其制备方法
公开
摘要
本申请涉及抛光粉的技术领域，具体公开了一种用于半导体晶圆抛光处理的稀土抛光粉及其制备方法。一种用于半导体晶圆抛光处理的稀土抛光粉，包括以下重量份物质：10‑20份硝酸铈、0.5‑2份分散剂和0.5‑1份添加剂，所述分散剂包括质量比为1‑1.5:0‑1的聚乙烯吡咯烷酮和聚丙烯酸钠。其制备方法为：S1、前驱体制备；S2、抛光粉制备：取前驱体于700‑900℃进行焙烧处理，冷却，粉碎，得到抛光粉。本申请的稀土抛光粉可用于晶圆片的抛光以及硅片的抛光，其具有分散均匀、抛光稳定的优点；另外，本申请的制备方法具有便于操作以及便于调节抛光粉粒径的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体晶圆抛光处理的稀土抛光粉及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114591687A
申请号 ：
CN202210268021.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张俊生
申请人 ：
深圳市瑞来稀土材料有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道水田社区第四工业区77号6楼1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210268021.6
主分类号 ：
C09G1/02
IPC分类号 ：
C09G1/02 H01L21/304
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09G
抛光组合物；滑雪屐蜡
C09G1/00
抛光组合物
C09G1/02
含有磨料或研磨剂
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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