一种分数槽集中绕组永磁电机气隙磁场计算方法
公开
摘要

本发明公开基于改进卡特系数的分数槽集中绕组永磁电机气隙磁场计算方法。首先,基于Schwarz‑Christoffel变换得到一个槽距内的气隙磁导分布。然后,为考虑不同转子位置下开槽对气隙磁导的影响,基于相对磁导分布计算得到每极的改进卡特系数,接着利用改进卡特系数修正每极磁导的大小。最后,建立基于集总参数的磁路模型,计算气隙磁动势,并结合相对磁导分布计算气隙磁密。本发明提出的基于改进卡特系数的永磁电机气隙磁密计算方法能够有效地考虑不同转子位置角下开槽对气隙磁导分布的影响,结合了解析法简单快速与磁路法精度高的优点,在保证较高计算精度的前提下,极大地提高了计算速度。

基本信息
专利标题 :
一种分数槽集中绕组永磁电机气隙磁场计算方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114626244A
申请号 :
CN202210295058.8
公开(公告)日 :
2022-06-14
申请日 :
2022-03-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
花为印航
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
江苏省南京市玄武区新街口街道四牌楼2号
代理机构 :
北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张恩慧
优先权 :
CN202210295058.8
主分类号 :
G06F30/20
IPC分类号 :
G06F30/20  G06F30/17  G06F17/15  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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