基于并联SiC MOSFET动静态参数影响下的电流测量系...
公开
摘要
本发明公开了一种基于并联SiCMOSFET动静态参数影响下的电流测量系统，包括：功率电路、驱动电路和驱动供电电路，其中，功率电路由直流母线侧电路和测量器件电路组成；驱动电路分为两部分完全相同的上半桥驱动电路和下半桥驱动电路；驱动供电电路由电压Vd发生电路和驱动供电主电路组成。本发明能解决SiCMOSFET器件由于静态参数分散性，功率回路、驱动电路以及封装结构的寄生参数具有不对称性导致并联器件之间出现的电流不平衡现象，并能通过并联SiCMOSFET来扩大电流容量以达到设计要求。
基本信息
专利标题 ：
基于并联SiC MOSFET动静态参数影响下的电流测量系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578119A
申请号 ：
CN202210322334.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵爽王琛韩亮亮王佳宁丁立健李贺龙杨之青
申请人 ：
合肥工业大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区屯溪路193号
代理机构 ：
安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
代理人 ：
陆丽莉
优先权 ：
CN202210322334.5
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00 G01R31/27 G01R31/26 G01R1/30
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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