一种高耐水电子硅胶及其制备方法
公开
摘要

本发明涉及电子封装领域,用于解决现有的普通有机硅材料性能仍然不够优良,电子元器件发热会导致普通有机硅材料损坏而失去保护效果,而且吸水后会对电子元器件造成损坏的问题,具体涉及一种高耐水电子硅胶及其制备方法,该制备方法通过以乙烯基硅油、耐水改性树脂、含氢硅油交联剂、催化剂、导热填料以及偶联剂为原料制得该高耐水电子硅胶,其中耐水改性树脂是以耐水改性单体、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷作为聚合单体,利用共水解‑缩聚法制成的,该耐水改性树脂分子链上含有大量的C‑F键和苯环,从而赋予了耐水改性树脂良好的耐高温性和耐水性,使用该高耐水电子硅胶进行封装电子元件,具有优良的保护效果。

基本信息
专利标题 :
一种高耐水电子硅胶及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114605838A
申请号 :
CN202210330795.7
公开(公告)日 :
2022-06-10
申请日 :
2022-03-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张晨光陈逸基冯文利
申请人 :
韶关方舟长顺有机硅有限公司
申请人地址 :
广东省韶关市南雄市珠玑工业园平安二路西8号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210330795.7
主分类号 :
C08L83/07
IPC分类号 :
C08L83/07  C08L83/08  C08L83/05  C08K3/34  C08K5/5425  C08K3/22  C08K3/28  C08K3/38  C08K3/04  C08K5/544  C08G77/24  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C08
有机高分子化合物;其制备或化学加工;以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L83/00
由只在主链中形成含硅的,有或没有硫、氮、氧或碳键的反应得到的高分子化合物的组合物;此种聚合物的衍生物的组合物
C08L83/04
聚硅氧烷
C08L83/07
含连接到不饱和脂族基团的硅的
法律状态
2022-06-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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