本发明提供一种半导体结构及其制作方法。所述半导体结构及其制作方法中，基底包括第一元件区和第二元件区，多个鳍部形成于基底上，多个鳍部包括第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部位于第一元件区的基底上，第二鳍部位于第二元件区的基底上；其中，第一鳍部的截面宽度与第二鳍部的截面宽度不相等，第一元件区上的第一鳍部的数量和第二元件区上的第二鳍部的数量均为两个以上，相邻两个第一鳍部之间的间距与相邻两个第二鳍部之间的间距不同，从而可以在同一基底上形成截面宽度不同且间距不同的两类鳍部，进而可以形成不同特性的FinFET，实现了不同FinFET并存的目标，以及实现了半导体结构功能的多元化且减少了半导体结构的使用面积。