一种轻质高性能电路的精密制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种轻质高性能电路的精密制备方法，包括：步骤S1：制作电路的基材层和预浸料层；步骤S101：将PMI泡沫原材料烘干，并基于基材层设计形状采用数控加工的方式完成曲面加工；步骤S102：在PMI泡沫表面敷制环氧树脂基或者氰酸酯树脂基预浸料；步骤S103：基于基材层预设外型面制作阴模；步骤S104：将敷制好预浸料的PMI基材置于阴模中，在高温高压下固化，其中温度和压力基于预浸料种类设置；步骤S105：将固化后的PMI基材层连同预浸料层进行脱模处理；步骤S2：制作传输电路层；步骤S3：制作电阻层。通过本发明方法能够在基材层上实现随形曲面结构的精密成型和表层薄层电路、以及简单器件的精密制备。
基本信息
专利标题 ：
一种轻质高性能电路的精密制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552198A
申请号 ：
CN202210437223.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张怡王天石邓超刘镜波全旭林曹洪志周雅惠徐利明万养涛陈曦王庆兵金涛周治立陈以金
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请人地址 ：
四川省成都市金牛区营康西路496号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈法君
优先权 ：
CN202210437223.9
主分类号 ：
H01Q1/38
IPC分类号 ：
H01Q1/38 H01Q1/12 H01C17/06 H01C17/12 B29C70/34 B29C70/68
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/38
申请日 : 20220425
申请日 : 20220425
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
