Gd-Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料及制备方法
公开
摘要
本发明公开了Gd‑Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料，该铁电储能陶瓷材料的结构式为Sr(0.53‑0.15x)Ba0.47GdxNb2‑yTayO6，其中，x的取值为0.01～0.1，y的取值为0.1～0.5。本发明还公开了其制备方法，具体为：称取BaCO3、SrCO3、Gd2O3、Nb2O5、Ta2O5，充分混合球磨，干燥后进行预烧，将预烧粉经造粒、压片、排胶后，进行烧结，即可。通过在陶瓷材料中掺杂Gd和Ta，不但获得了高储能密度，且显著提高了其储能效率，并改善了其储能性能的温度稳定性，在140℃下击穿场强可以达到400kV·cm‑1，储能密度达到85％。
基本信息
专利标题 ：
Gd-Ta共掺杂钨青铜结构铁电储能陶瓷材料及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114605151A
申请号 ：
CN202210447800.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-04-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨变孙少东郭钰杨曼崔杰张佳语
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
刘娜
优先权 ：
CN202210447800.2
主分类号 ：
C04B35/495
IPC分类号 ：
C04B35/495 C04B35/622 C04B35/638 H01G4/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/495
以氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化钼或氧化钨或与其他氧化物的固溶体为基料的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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