半导体结构的制作方法及半导体结构
公开
摘要
本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供具有多个接触结构的基底；于基底上形成第一支撑结构和牺牲层；形成第一通孔；于第一通孔的侧壁和第一支撑结构的部分顶面形成介电层，第一通孔内的介电层形成第二通孔；于第二通孔内形成第一电极结构，第一电极结构覆盖部分接触结构表面和位于第二通孔内的介电层的侧壁；在第一电极结构上形成第二支撑结构；去除牺牲层、部分第一支撑结构、部分第二支撑结构；形成至少覆盖部分介电层表面的第二电极结构。本公开通过先形成介电层，解决了第一电极结构和第二电极结构之间漏电的问题，提高了半导体结构的性能和良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582958A
申请号 ：
CN202210462531.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭帅左明光刘忠明白世杰
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱影
优先权 ：
CN202210462531.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78 H01L27/108
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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