半导体结构及半导体结构的制作方法
公开
摘要
本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括基底和接触结构，基底内设置有多个沿第一方向间隔设置的有源区；接触结构包括第一接触结构和第二接触结构，第一接触结构的一端靠近基底设置，并与有源区连接，第二接触结构与第一接触结构的另一端连接，其中，第二接触结构在基底上的投影位于第一接触结构在基底上的投影内。本公开通过将接触结构分成第一接触结构和第二接触结构，沿垂直于基底顶面的方向，第二接触结构的截面面积小于第一接触结构的截面面积，从而有效降低寄生电容的影响，进而提高半导体结构的性能和良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628504A
申请号 ：
CN202210462567.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-04-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘翔
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
苗源
优先权 ：
CN202210462567.5
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/36 H01L29/49 H01L29/78 H01L21/336 H01L27/108
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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