一种多电容匹配式MOM电容器
公开
摘要
本发明提供一种多电容匹配式MOM电容器，包括：基底；电容主体，位于基底上方，其包括：多层金属化层和多层介质层，每两层金属化层之间均具有一介质层，每一金属化层具有多个间隔设置且相互平行的第一电极条和第二电极条，且相邻的第一电极条和第二电极条之间填充有隔离电介质；公共T极板，所有的第一电极条均电连接于公共T极板；多个B极板，与公共T极板平行相对设置，并将电容主体分割为多个匹配电容单元，每个匹配电容单元的第二电极条连接于相对应的B极板；冗余极板，设置在边缘的B极板的外侧，与公共T极板平行相对设置；冗余电容，位于基底上，且位于电容主体的外侧，冗余电容的一端连接于公共T极板，另一端连接于冗余极板。
基本信息
专利标题 ：
一种多电容匹配式MOM电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582860A
申请号 ：
CN202210477616.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王汉卿李雪民梅恒芳
申请人 ：
苏州领慧立芯科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园E4-045单元
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张立君
优先权 ：
CN202210477616.2
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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