半导体结构的制作方法及半导体结构
公开
摘要
本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括：提供具有第一接触孔的半导体基板，第一接触孔在预设截面的图形包括长边侧壁和短边侧壁；于长边侧壁上形成牺牲层；对第一接触孔进行处理，以在第一接触孔下方形成第二接触孔，第二接触孔与第一接触孔连通，以平行于半导体基板的顶面的平面为横截面，第二接触孔的横截面面积小于第一接触孔的部分区域的横截面面积。本公开通过在第一接触孔的长边侧壁上形成牺牲层，有效减少第二接触孔形成过程中长边侧壁和短边侧壁刻蚀长度不一致的问题，保证形成的第二接触孔的质量，防止产生桥接缺陷，提高了导体结构的性能和良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的制作方法及半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628323A
申请号 ：
CN202210477973.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藏俊生
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
苗源
优先权 ：
CN202210477973.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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