半导体结构及半导体结构的制作方法
公开
摘要
本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，半导体结构包括衬底和位于衬底上的堆叠结构；位于堆叠结构与衬底之间的掺杂区，在垂直于衬底的截面上，掺杂区包括顶部掺杂区、底部掺杂区以及连接顶部掺杂区和底部掺杂区的中间掺杂区，在平行于衬底的方向上，顶部掺杂区具有第一宽度，底部掺杂区具有第二宽度，中间掺杂区具有逐渐变化的第三宽度，其中，第一宽度大于第二宽度，第三宽度在沿着远离衬底的方向上逐渐减小。在本公开中，堆叠结构覆盖掺杂区，增加了堆叠结构和掺杂区的接触面积，有利于减小半导体结构的短沟道效应，避免半导体结构发生电流泄漏，提高了半导体结构的电性能和良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及半导体结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628526A
申请号 ：
CN202210484142.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘翔杨彬
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
鲁盛楠
优先权 ：
CN202210484142.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/108 H01L21/336
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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