一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方...
公开
摘要
本发明公开了一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括crossbar阵列的多个单点器件，各单点器件均包括依次层叠设置的两个分立式的背栅电极、栅介质层、两个间隔的浮栅电极、隧穿层和二硫化钼，二硫化钼的上表面制备有源、漏电极和输出电极，各单点器件中的输出电极共线输出；将待训练神经网络的输入信息对应映射为各单点器件的漏电极电压，源电极电压与漏电极电压等大且极性相反，同时将待训练神经网络的权重信息对应映射为各单点器件中两个沟道区域的电导差，单点器件的电导差通过分别调节其中两个分立式的背栅电极的电压完成。本发明集成密度高，且制备的crossbar器件可实现具备存算一体的矩阵乘和运算。
基本信息
专利标题 ：
一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597232A
申请号 ：
CN202210501761.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-05-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶镭徐浪浪黄鑫宇童磊彭追日陈思涵缪向水
申请人 ：
华中科技大学;湖北江城实验室
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
武汉华之喻知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘娅婷
优先权 ：
CN202210501761.X
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L45/00 H01L27/11521 G06N3/08 G06N3/04 G06F17/16 G06F7/544
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
