一种抗高压具有防护结构的MOS管
授权
摘要
本实用新型公开了一种抗高压具有防护结构的MOS管，涉及MOS管技术领域，包括主半导体，所述主半导体的上端外表面设有固定片，所述固定片的中部设有固定孔，所述主半导体的后端外表面设有导热机构。本实用新型所述的一种抗高压具有防护结构的MOS管，导热机构在使用时可通过导热胶层和导热片对主半导体的热量进行快速传导散热，在使用时可提高主半导体的散热效果，可提高主半导体的抗高压效果，防护机构在使用时可对G针脚、D针脚与S针脚的连接处起到稳定保护的效果，在使用时可避免G针脚、D针脚与S针脚的连接处发生弯折，在使用时可避免发生断裂的情况，使用的效果相对于传统方式更好。
基本信息
专利标题 ：
一种抗高压具有防护结构的MOS管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220287828.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
CN216749910U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
涂长招
申请人 ：
福建康博电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
福建省龙岩市新罗区东肖镇东华社区龙腾南路14号珠江大厦702-15室
代理机构 ：
北京智行阳光知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
崔新芬
优先权 ：
CN202220287828.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L23/48 H01L23/00 H01L23/367 H01L23/373
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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