采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶的方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明属于直拉(切氏法)硅单晶生长技术领域。采用纯氮作为直拉硅单晶的保护气体，所用的氮气纯度为99.999％以上，进入炉内氮气压力为0.5～60托，氮气流量为2～50升/分，所用的充氮设备及控制方法与充氩工艺相同。由于氮气来源丰富，价格低廉，可大幅度地降低硅单晶生产成本，提高硅单晶质量，产生积极的经济效果。
基本信息
专利标题 ：
采用氮保护气氛制造直拉(切氏法)硅单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100295A
申请号 ：
CN85100295.1
公开（公告）日 ：
1986-02-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100295B
授权日 ：
1986-02-10
发明人 ：
阙端麟李立本林玉瓶
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市玉泉
代理机构 ：
浙江大学专利事务所
代理人 ：
连寿金
优先权 ：
CN85100295.1
主分类号 ：
C30B27/02
IPC分类号 ：
C30B27/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
C30B27/02
自熔融液的提拉法
法律状态
2000-11-22 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1986-09-03 ：
授权
1986-02-10 ：
公开
1986-02-10 ：
审定
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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