光谱选择性吸收黑铝涂层及制造方法
驳回的专利申请
摘要

本发明属于涂层材料和制造方法。通过采用真空镀膜工艺,控制蒸镀时的气氛和压力,制备一种具有光谱选择特性好的黑铝镀层。该涂层的太阳能吸收率大于0.87,红外热发射率大于0.13且可适金属、玻璃及有机材料等多种类型的底材,具有制备工艺简单,可实现大面积连续生产等优点,是一种有广泛应用前景的太阳能光热利用材料。

基本信息
专利标题 :
光谱选择性吸收黑铝涂层及制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN85100509A
申请号 :
CN85100509.8
公开(公告)日 :
1986-08-13
申请日 :
1985-04-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
胡行方秦淑引田静芬胡美凤
申请人 :
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 :
上海市长宁路865号
代理机构 :
中国科学院上海专利事务所
代理人 :
潘振甦
优先权 :
CN85100509.8
主分类号 :
C23C14/14
IPC分类号 :
C23C14/14  F24J2/48  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
法律状态
1991-12-04 :
驳回的专利申请
1988-06-08 :
实质审查请求
1986-08-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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