矿物半导体检测仪器
专利权的终止
摘要
本发明属于测定矿物的物理性能的装置。目前国内外测定矿物是否具有半导体特征均采用直接或间接测定该矿物电阻率的方法如两针法、四针法等。但不适于对一些表面形状不规则，体积很小的物质，如矿物颗粒进行测定。本发明基于新的原理来检测表面不规则体积小的矿物半导体性能，使该矿物同电极组成类似肖特基二极管结构，检测该结构是否具有整流特性从而判定该物质是否具有半导体特性。
基本信息
专利标题 ：
矿物半导体检测仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103885A
申请号 ：
CN85103885.9
公开（公告）日 ：
1986-12-10
申请日 ：
1985-05-07
授权号 ：
CN85103885B
授权日 ：
1988-12-07
发明人 ：
赵亨达
申请人 ：
辽宁省地质实验研究中心
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市北陵大街3段3号
代理机构 ：
辽宁专利事务所
代理人 ：
李宗津
优先权 ：
CN85103885.9
主分类号 ：
G01N27/00
IPC分类号 ：
G01N27/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
法律状态
1990-09-12 ：
专利权的终止
1989-09-27 ：
授权
1988-12-07 ：
审定
1986-12-10 ：
公开
1986-09-24 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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