作为掺杂剂的磷酰三胺及其聚合物
发明专利公报更正
摘要

磷酰三胺及其聚合物被称作为用于旋制掺杂到半导体材料上和用于集成电路制造上的磷掺杂剂。在低荷载条件下,于1000℃扩散1小时即能制得薄膜电阻系数为每平方4~13欧姆。聚合物(或单体)是均相的,可溶的,如用旋涂法易于将它均匀分散到半导体表面上,且较不易挥发,以至当溶液脱除后,将材料加热到扩散温度,就将得到确实是完整的所预想的薄膜,并能变成不可溶的,即用加热和其它方法使其交联,并呈现玻璃化的特征而不是结晶化的。

基本信息
专利标题 :
作为掺杂剂的磷酰三胺及其聚合物
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN85104374A
申请号 :
CN85104374
公开(公告)日 :
1986-12-03
申请日 :
1985-06-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
罗伊斯·简尼·阿尼罗斯蒂芬·威克弗德·卡特林丹尼尔·福兰克·哈里斯
申请人 :
阿兰德公司
申请人地址 :
美国新泽西州07960-2245莫瑞斯镇邮政信箱2245R
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN85104374
主分类号 :
C07F9/06
IPC分类号 :
C07F9/06  H01L21/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C07
有机化学
C07F
含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环,碳环或杂环化合物
C07F9/00
含周期表第5或15族元素的化合物
C07F9/02
磷化合物
C07F9/06
无P-C键的
法律状态
1987-04-15 :
发明专利公报更正
更正卷 : 2
号 : 29
页码 : 31
更正项目 : 代理机构|代理人
误 : 无|无
正 : 上海专利事务所|冯晓明
1987-03-18 :
申请的撤回
1986-12-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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