灭弧罩瓷低温一次烧成工艺
申请的撤回
摘要
灭弧罩瓷的低温一次烧成工艺可用于制造工业用电器陶瓷。与传统的二次烧成法相比，本发明的瓷料中加入了摊平温度低于1140℃的B—Si玻璃，在吸附剂中加入了锯末。其结果，可在1140℃下一次烧成，使烧成温度降低一百多度。在正常操作下产品合格率不低于二次烧成的合格率。材料的各项性能也完全达到我国部颁标准。
基本信息
专利标题 ：
灭弧罩瓷低温一次烧成工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85105075A
申请号 ：
CN85105075
公开（公告）日 ：
1985-12-20
申请日 ：
1985-07-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾美云艾红
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市东郊九龙山
代理机构 ：
北京工业大学专利代理事务所
代理人 ：
楼艮基
优先权 ：
CN85105075
主分类号 ：
C04B35/10
IPC分类号 ：
C04B35/10 C04B35/78
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/01
以氧化物为基料的
C04B35/10
以氧化铝为基料的
法律状态
1987-01-14 ：
申请的撤回
1985-12-20 ：
公开
1985-11-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN85105075A.PDF
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