降低核电站中放射性的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
对与含有放射性物质的高压高温反应堆水相接触的金属结构元件，采用在暴露于反应堆水中之前即预先在其表面上形成氧化膜的方法降低核电站中的放射性，其特征为将所述的结构元件置于高温的环境介质中作第一步加热氧化处理，然后进一步再在比上述更高氧化能力的环境介质中进行第二步处理，由此形成比第一步氧化处理后得到的更为密实的氧化膜，本发明即藉此而实现显著地降低核电站中的放射性。
基本信息
专利标题 ：
降低核电站中放射性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108112A
申请号 ：
CN85108112.6
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-11-05
授权号 ：
CN85108112B
授权日 ：
1987-11-04
发明人 ：
大桥健也本田卓古谷保正村荣二凑昭大角克己
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王栋令
优先权 ：
CN85108112.6
主分类号 ：
G21F9/00
IPC分类号 ：
G21F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理；核工程
G21F
G21FX射线，γ射线、微粒射线或粒子轰击的防护；处理放射性污染材料；及其去污染装置
G21F9/00
处理放射性污染材料；及其去污装置
法律状态
1998-12-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1988-05-18 ：
授权
1987-11-04 ：
审定
1986-06-10 ：
公开
1986-06-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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