PMOS低高压转换电路
专利权的终止
摘要
一种新型的PMOS低高压转换电路。本电路在结构上采用P阱作漂移区，故无需附加任何工艺步骤，就可以与P阱Si栅等平面CMOS工艺兼容；在工艺上采用P阱Si栅等平面工艺，实现本发明高压PMOS器件的集成，也可以使常规P阱CMOS集成电路与高压MOS器件集成于同一芯片上。同时利用P阱和场氧化层实现漏、源、沟道的自对准。本电路采用了运动场或圆形结构图形，P阱作漂移区和延伸源场极，并采用了低温工艺，聚酰亚胺钝化等先进行工艺技术。本电路可应用于交流高压等离子显示。场致发光、静电复印和其他低高压开关电路等领域。
基本信息
专利标题 ：
PMOS低高压转换电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85200132.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85200132U
授权日 ：
1985-12-20
发明人 ：
唐国洪
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
姚建楠
优先权 ：
CN85200132.0
主分类号 ：
H01L27/08
IPC分类号 ：
H01L27/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
法律状态
1989-12-13 ：
专利权的终止
1986-06-25 ：
授权
1985-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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