静态滴汞电极
专利权的终止
摘要
本实用新型改进了极谱分析中电磁阀控制生成汞滴的电极。为了避免易与汞发生反应的金属污染分析用汞液，采用一高分子弹性材料隔膜，将电磁铁，压缩弹簧，柱塞，支持套等金属零部件与汞隔离。通过电磁铁柱塞带动隔膜定期地抵紧或脱离毛细管上端面，在毛细管尾端形成大小可调，生成及保持时间可控的静态汞滴。能有效地消除电容电流对极谱分析的干扰，并始终保持分析用汞液的高纯度。本装置结构简单，适用于各种极谱分析仪。
基本信息
专利标题 ：
静态滴汞电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN85201283.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1985-04-23
授权号 ：
CN85201283U
授权日 ：
1986-02-12
发明人 ：
崔建中叶忠临
申请人 ：
崔建中;叶忠临
申请人地址 ：
四川省成都市新南门外磨子桥中国科学院成都科学仪器厂
代理机构 ：
中国科学院成都专利事务所
代理人 ：
梁世楷
优先权 ：
CN85201283.7
主分类号 ：
G01N27/34
IPC分类号 ：
G01N27/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/22
通过测试电容量
G01N27/24
测试缺陷的存在
G01N27/34
滴汞电极
法律状态
1990-08-01 ：
专利权的终止
1986-08-27 ：
授权
1986-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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