氮氢保护气体链式烧结炉

专利权的终止

摘要

本实用新型为半导体芯片烧结与封装提供一种结构简单、安全、省气的链式烧结炉。这种烧结炉采用掺适量氢的纯化氮作保护气体，在传送链带上设置一系列气体防护挡板，挡板随链带一起运动，保护气体从位于烧结管两端的气体防护挡板与烧结管壁之间的狭缝中不断快速向外排出，便形成了有效的防护屏障，阻止外界气体进入炉管，防止焊料氧化，使被烧结器件例如半导体芯片与底座牢固的烧结在一起。

基本信息

专利标题：

氮氢保护气体链式烧结炉

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN85203863.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

1985-09-03

授权号：

CN85203863U

授权日：

1986-07-09

发明人：

刘江禄房振华

申请人：

刘江禄;房振华

申请人地址：

浙江省湖州市菱湖晶体管厂

代理机构：

代理人：

优先权：

CN85203863.1

主分类号：

F27B5/04

IPC分类号：

F27B5/04

IPC结构图谱

F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破

F27

炉；窑；烘烤炉；蒸馏炉

F27B

一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉；开式烧结设备或类似设备

F27B

一般馏炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉；开式烧结设备或类似设备

F27B5/00

马弗炉；干馏炉；其他炉料完全隔绝的炉

F27B5/04

适用于在真空中或特殊气氛中处理炉料的

法律状态

1989-11-29 ：

专利权的终止

终止日 : 19870121

1988-06-15 ：

变更

变更事项 : 申请人地址
变更前 : 浙江省湖州市菱湖晶体管厂
变更后 : 浙江省杭州市浙江无线电厂

1987-01-21 ：

授权

1986-07-09 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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