双极晶体管
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本发明的双极晶体管具有以下构成：P型半导体衬底、在衬底的表面层部分区域上形成的N+型内埋层、覆盖衬底的整个表面并埋置内埋层的N型外延层、包围内埋层并从外延层的表面贯通至衬底的P+型隔离区、被隔离区包围而分隔成岛状的外延层所构成的N型集电区、在集电区的表面层部分区域上形成的P型基区、在基区的表面层部分区域上形成的N+型发身区和在除基区以外的整个集电区表菌层上形成的N+区域。
基本信息
专利标题 ：
双极晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100558A
申请号 ：
CN86100558.9
公开（公告）日 ：
1986-10-15
申请日 ：
1986-04-16
授权号 ：
CN1003334B
授权日 ：
1989-02-15
发明人 ：
田端辉夫
申请人 ：
三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府守口市京阪本通2丁目18番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
马连富
优先权 ：
CN86100558.9
主分类号 ：
H01L29/72
IPC分类号 ：
H01L29/72
法律状态
2001-12-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-10-18 ：
授权
1989-02-15 ：
审定
1986-10-15 ：
公开
1986-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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